【研究领域】：膜材料与膜技术

【专利号】：CN201110023775.7

【专利类型】：发明

【发明(设计)人】：[黄培, 吴海红]

【申请(专利权)人】：南京工业大学

【申请日】：2011.01.21

【公告日】：2012.09.19

本发明提供了一种抗静电聚酰亚胺(PI)薄膜的制备方法。原料采用二胺，二酐和导电填料及添加偶联剂，利用原位聚合法制备了相分散性均匀的聚酰胺酸(PAA)导电填料复合溶液，热亚胺化处理，得到抗静电的聚酰亚胺薄膜。该方法制备的抗静电聚酰亚胺薄膜，操作简单，工艺优良，产品两面的电阻率基本一致，制成的产品成品率高、耐高温并且机械性能优异。可应用于化工产品、微电子器件等对包装材料有特殊要求的领域。