【研究领域】：高端装备与智能制造

【专利号】：CN201110366861.8

【专利类型】：发明

【发明(设计)人】：[殷晨波, 张子立, 朱斌, 陶春旻, 董宁宁, 杨柳]

【申请(专利权)人】：南京工业大学

【申请日】：2011.11.18

【公告日】：2013.03.27

本发明公开了一种气体传感器及其制造工艺，气体传感器包括硅基底、二氧化硅绝热截至层、叉指信号电极、测温电极、加热电极；所述的硅基底具有通孔结构，硅基底的上表面包括通孔的顶部设有二氧化硅层，所述的二氧化硅层采用表面工艺加工成悬臂结构。二氧化硅层上表面设有叉指信号电极、测温电极和加热电极组成的电极组，电极组上表面设有二氧化锡层本发明工艺将加热电极、叉指信号电极、测温电极制作于一层，降低了制造复杂度，提高了成品率；将传感器二氧化硅层腐蚀，形成悬臂结构，减小热量的传输通道，使得传感器的功耗更低。