【研究领域】：化工新材料

【专利号】：CN201320206010.1

【专利类型】：实用新型

【发明(设计)人】：[黄新明, 尹长浩, 周绪成, 钟根香, 周海萍]

【申请(专利权)人】：晶海洋半导体材料（东海）有限公司, 东海晶澳太阳能科技有限公司, 南京工业大学

【申请日】：2013.04.23

【公告日】：2013.12.11

本实用新型公开了一种底部带引晶功能的多晶硅铸锭用石英坩埚，石英坩埚的底部设有均匀紧密排列的具有引晶功能的凹坑或者凹痕，凹坑口径或凹痕宽度为1-4.9mm，凹坑或凹痕深度为0.5-5.9mm，凹坑或凹痕间距为0.5-6.9mm。本实用新型的凹坑由于具有合理的径深比及合理的间距，在坩埚底部为晶体硅生长提供排列致密且均匀分布的过冷点或过冷条带，该过冷点或过冷条带由凹坑或凹痕的尺寸比例决定，与凹坑或凹痕的开口形状及内部形状无关，该过冷点或过冷条带可促使晶体硅在生长初期形成分布均匀的晶核，在此晶核基础上生长出晶粒均匀，缺陷密度低的晶体硅，从而达到无需添加硅质籽晶即可提高晶体硅太阳能电池的性能的目的，同时相比添加硅质籽晶的铸锭技术，生产得率提高3%以上。