【研究领域】：化工新材料

【专利号】：CN201210369325.8

【专利类型】：发明

【发明(设计)人】：[黄新明, 尹长浩, 周海萍, 钟根香]

【申请(专利权)人】：东海晶澳太阳能科技有限公司, 南京工业大学

【申请日】：2012.09.28

【公告日】：2015.02.18

本发明公开了一种晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法，采用液相沉积的方法在坩埚内壁的易粘埚区域制得氮化硅涂层后，对该区域氮化硅涂层进行致密化和非浸润性处理，并采用液相沉积的方法在坩埚内壁的其它区域制得氮化硅涂层，最后将氮化硅涂层进行低温烘烤或免烧结处理，获得晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层。该方法可显著提高氮化硅涂层整体强度，尤其可以提高易粘埚区域涂层的强度及其对硅熔体的非浸润性，可有效避免粘埚现象的发生，避免了氮化硅粉尘的产生，进一步提高了氮化硅粉的有效利用率，降低了生产成本，增强了操作过程中的环境友好性，降低了对人体的伤害；并且由于无需或仅需低温烘烤，减少了能源的浪费缩短了生产周期。