【研究领域】：化工新材料

【专利号】：CN201310248885.2

【专利类型】：发明

【发明(设计)人】：[黄新明, 顾海泉, 明亮, 张兆玉, 钟根香]

【申请(专利权)人】：东海晶澳太阳能科技有限公司, 南京工业大学

【申请日】：2013.06.21

【公告日】：2016.01.27

本发明公开了一种掺镓晶体硅中金属镓的使用方法，包括镓的前期处理，盛镓硅原料的处理和镓的放置，其中盛镓硅原料的处理包括在至少部分硅原料上打孔，镓的放置为将镓置于硅原料的孔中，且在装料时将装有镓的硅原料设置在总装料高度的2/3以下位置。通过本发明中的方法，能够有效的减少晶体生长过程中镓的挥发，从而精确控制电阻率范围。