【研究领域】：膜材料与膜技术

【专利号】：CN201510209568.9

【专利类型】：发明

【发明(设计)人】：[仲兆祥, 赵阳, 姚忠]

【申请(专利权)人】：南京工业大学

【申请日】：2015.04.28

【公告日】：2016.11.02

本发明公开了一种垂直生长的开口碳纳米管薄膜的制备方法。以金相砂纸磨平陶瓷膜表面，经丙酮超声清洗、水煮，干燥得到陶瓷膜基体；将催化剂二茂铁超声溶于碳源二甲苯中，并加入碳纳米管促生长剂噻吩形成混合溶液。将陶瓷膜基体置于管式炉反应器中，通入氮气并缓慢匀速注入混合溶液进行高温气相沉积反应；再经等离子体刻蚀、硝酸回流加热处理，使碳纳米管的封闭端开口，并去除碳纳米管薄膜上的催化剂颗粒，得到高垂直取向的开口碳纳米管薄膜。本发明工艺简单实用、成本低，通过改变条件参数可实现对碳纳米管薄膜的密度、形态的控制。所制备的碳纳米管薄膜可广泛应用于气体净化与储存、导热导电、催化剂载体等领域，具有良好的应用前景。