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一种四氧化三钴介孔纳米片的制备方法

【研究领域】:化工新材料

【专利号】:CN201410741019.1

【专利类型】:发明

【发明(设计)人】:[胡秀兰, 黄惠洪]

【申请(专利权)人】:南京工业大学

【申请日】:2015.01.06

【公告日】:2017.01.25

本发明公开一种具有介孔结构的四氧化三钴纳米片的制备方法。在不添加任何表面活性剂和模板的条件下,首先通过简单温和的溶液法在低温下合成纳米片状结构的前驱体,然后经热分解得到介孔结构的四氧化三钴纳米片。通过该方法制得的Co3O4纳米片比表面积大,且具有良好的分散性。