【研究领域】：膜材料与膜技术

【专利号】：CN201310721809.9

【专利类型】：发明

【发明(设计)人】：[黄彦, 黎月华, 胡小娟, 俞健, 魏磊, 魏浩]

【申请(专利权)人】：南京工业大学

【申请日】：2013.12.23

【公告日】：2017.01.18

本发明涉及一种钯复合膜缺陷修补技术，通过气相反应使SiO2在膜缺陷处沉积，进而实现对组件中的钯膜直接进行原位修补，而无需拆卸组件，为膜在使用过程中产生的缺陷提供了修补方案。本发明的具体技术方案为：将膜组件置于高温炉内，将硅源通入组件内钯复合膜的膜侧，硅源蒸气占据膜缺陷处，再向组件内的钯复合膜的基体侧通入氧化性气体，氧化性气体在浓度差的驱使下向缺陷处移动，并与硅源蒸气接触，快速反应生成固体颗粒沉积在缺陷处，达到修补的目的。本发明解决了对于膜在使用过程中产生的缺陷的修补问题，可极大地延长膜使用寿命，实用性更广，操作方便。