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一种提高萤石型离子导体膜材料氧通量的方法

【研究领域】:膜材料与膜技术

【专利号】:CN201410765622.3

【专利类型】:发明

【发明(设计)人】:[邵宗平, 张振宝, 陈登洁, 杨漂萍, 陈嘉玮]

【申请(专利权)人】:南京工业大学

【申请日】:2014.12.12

【公告日】:2017.02.22

本发明涉及一种提高萤石型离子导体膜材料氧通量的方法,将具有高电子导电能力的物质通过高能机械球磨的方法添加到萤石型离子导体膜材料中,形成表达式为M0+M1混合的多相透氧膜材料;其中萤石型离子导体膜材料M0的结构式为AxB1-xO2-δ,A位阳离子为稀土金属离子的一种或几种,B位阳离子为与A位阳离子不同稀土金属离子中的一种或几种,0.1