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分子平面平行于Si/SiO2表面的卟啉单分子层的制备方法

【研究领域】:化工新材料

【专利号】:CN201510252654.8

【专利类型】:发明

【发明(设计)人】:[高德青, 朱杰, 陈乃武, 郑朝月, 黄维]

【申请(专利权)人】:南京工业大学

【申请日】:2015.05.15

【公告日】:2018.11.06

有机薄膜晶体管(OTFT)中的电荷传输发生在绝缘层/半导体层界面附近的几个分子层,因此这个界面层的性质对于器件的性能起着决定性的作用。本发明利用自组装、表面化学增长的办法在Si/SiO2衬底上制备卟啉单分子层,使其大环平面平行于衬底表面;通过使用不同金属离子(Zn2+,Fe2+,Cu2+,Ni2+,Co2+)形成的具有丰富电子结构的卟啉单分子层来调节Si/SiO2表面电势与电荷分布;提供一种有效制备有机分子face-on排列的方法,进而研究face-on排列对器件性能的影响。