【研究领域】：化工新材料

【专利号】：CN201820613411.1

【专利类型】：实用新型

【发明(设计)人】：[文振阳, 季莲]

【申请(专利权)人】：南京工业大学

【申请日】：2018.04.27

【公告日】：2018.12.18

本实用新型公开了一种用于生长半导体材料的衬底结构，包括由下至上依次叠加的第一二维材料层、第二二维材料层、第三二维材料层和第四二维材料层。所述第一二维材料层、第三二维材料层为同一种材料形成。所述第二二维材料层、第四二维材料层为同一种材料形成，且与第一二维材料层、第三二维材料层材料不同。本实用新型可降低对半导体材料与衬底晶格匹配度的要求，且衬底可以多次循环利用，降低生产成本。